전체 글24 일본 미국 플라자합의 1985년 9월 22일, 미국 뉴욕의 플라자 호텔에서 미국, 일본, 서독, 프랑스, 영국의 재무장관과 중앙은행 총재들이 모여 플라자합의를 체결했습니다. 플라자합의는 달러화의 강세를 억제하고, 미국의 무역 적자를 줄이기 위해 이루어졌습니다. 그러나 이 합의는 일본 경제에 매우 불리한 결과를 초래했습니다. 이 기사에서는 플라자합의가 일본에게 불리한 이유와 그로 인한 경제적 영향을 깊이 있게 탐구하겠습니다. 1. 플라자합의의 배경과 목적플라자합의는 1980년대 초반 미국 경제가 겪고 있던 무역 적자와 달러 강세 문제를 해결하기 위해 체결되었습니다. 미국의 무역 적자와 달러 강세1980년대 초반, 미국은 대규모 무역 적자를 겪고 있었습니다. 미국의 무역 적자는 일본과 서독을 비롯한 여러 국가와의 무역에서 발생했.. 2024. 7. 2. 반도체 웨이퍼 뜻 생산 과정 반도체 웨이퍼는 반도체 소자의 기초가 되는 얇고 평평한 실리콘 디스크입니다. 웨이퍼는 반도체 제조 과정의 출발점이 되며, 그 위에 다양한 공정을 통해 회로 패턴이 형성됩니다. 이번 글에서는 반도체 웨이퍼의 정의와 웨이퍼 생산 과정을 자세히 살펴보겠습니다. 반도체 웨이퍼란? 반도체 웨이퍼는 고순도 실리콘(Si)으로 만든 얇고 평평한 디스크입니다. 반도체 소자의 기반이 되는 이 웨이퍼는 반도체 제조 공정에서 다양한 회로와 소자가 형성되는 기판으로 사용됩니다. 웨이퍼의 크기는 직경에 따라 100mm(4인치), 150mm(6인치), 200mm(8인치), 300mm(12인치) 등 다양한 크기로 제조됩니다. 웨이퍼 특징 고순도 실리콘: 웨이퍼는 매우 높은 순도의 실리콘으로 만들어지며, 이는 전기적 특성을 최적화하는.. 2024. 6. 25. 반도체 산화공정 이해하기 반도체 제조 과정에서 산화 공정(Oxidation Process)은 중요한 단계 중 하나입니다. 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막(Silicon Dioxide, SiO2)을 형성하여, 반도체 소자의 절연층, 보호층, 또는 마스크 역할을 합니다. 이번 글에서는 반도체 산화 공정의 의미와 세부 단계, 그리고 그 기술적 요소에 대해 자세히 알아보겠습니다. 산화 공정 의미1. 실리콘 산화막 형성산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 과정입니다. 이 산화막은 반도체 소자의 성능과 신뢰성에 중요한 역할을 합니다. 주로 열 산화(Thermal Oxidation) 방식을 사용하여 산화막을 형성합니다. 2. 산화막의 역할절연층: 소자 간의 전기적 절연을 제공합니다.게이트 절연층: MOS.. 2024. 6. 25. 반도체 UV 공정 반도체 제조 과정에서 UV(자외선) 공정은 매우 중요한 역할을 합니다. 특히, 리소그래피(Lithography) 공정에서 UV 빛을 사용하여 웨이퍼 위에 미세한 회로 패턴을 형성합니다. 이번 글에서는 반도체 제조 과정 중 UV 공정의 의미와 세부 단계에 대해 자세히 알아보겠습니다. UV 공정 이란? 1. 리소그래피(Lithography) 공정리소그래피는 반도체 제조 과정에서 웨이퍼 위에 회로 패턴을 형성하는 핵심 공정입니다. UV 공정은 리소그래피 공정의 일부로, 자외선(UV) 빛을 사용하여 포토레지스트(Photoresist) 위에 회로 패턴을 전사합니다. 2. UV 빛의 사용UV 빛은 파장이 짧아 높은 해상도의 패턴을 형성할 수 있습니다. 이는 반도체 소자의 미세화를 가능하게 하며, 고성능 반도체를 제.. 2024. 6. 24. 이전 1 2 3 4 ··· 6 다음